TSMC protsessorlar uchun yangi BEOL xotirani namoyish etdi

TSMC kompaniyasi SRAM o'rnini bosuvchi, to'g'ridan-to'g'ri protsessor qatlamlariga joylashtiriladigan yangi BEOL xotira arxitekturasini taqdim etdi.

TSMC kompaniyasi protsessor chipining o'zaro bog'lanish qatlamlariga to'g'ridan-to'g'ri joylashtiriladigan tajribaviy BEOL (Back-End-Of-Line) xotira arxitekturasini taqdim etdi. Ushbu yangi texnologiya hozirgi SRAM xotiralariga nisbatan ancha ixcham muqobil bo'lishi kutilmoqda. Ishlanma chiplar ichida ma'lumotlarni saqlash samaradorligini oshirishga qaratilgan.

1T1C tuzilmasi va SRAM bilan farqi

Odatiy SRAM xotira katakchasida oltita tranzistor qo'llaniladi va shu sababli u chip kristallida juda ko'p joy egallaydi. TSMC taklif qilayotgan BEOL arxitekturasi esa bitta tranzistor va bitta kondensatordan iborat 1T1C katakchalariga asoslangan. Bu yondashuv xuddi shunday maydonda ancha ko'proq ma'lumot saqlash imkonini beradi.

Texnologiyani yaratishda muhandislar amorf oksidli yarimo'tkazgichdan foydalandi. Mazkur material tok sizib chiqishini kamaytiradi hamda chipning mavjud qatlamlariga zarar yetkazmagan holda xotirani shakllantirishga yordam beradi.

Texnik ko'rsatkichlar va istiqbollar

Tajribaviy BEOL namunasi sinovlarda yuqori tezlik va chidamlilikni ko'rsatdi. Xotiraning asosiy texnik xususiyatlari quyidagilardan iborat:

• Ishlash kuchlanishi 0,75 V ni tashkil etadi
• Ma'lumotlarni saqlab turish vaqti 128 millisekunddan oshadi
• O'qish va yozish sikli 8 nanosekunddan kamroq vaqt oladi
• Ishlash resursi 100 trillion sikldan yuqori deb baholangan

Avvalroq TSMC 3D DRAM bozoriga kirishi mumkinligi haqida xabarlar tarqalgan edi, biroq kompaniya bu rejalarni rasman tasdiqlamagan. Taqdim etilgan yangi texnologiya haqiqatan ham katakchalarni vertikal joylashtirish usulidan foydalanadi, ammo u an'anaviy ko'p qatlamli DRAM xotirasidan farq qiladi. Hozircha BEOL xotirasini tijoriy chiplarda qachon qo'llash boshlanishi noma'lum.