Huawei Kirin 9050 Pro protsessori ikki qavatli tuzilishga ega

Kurnal Insights tahliliga ko'ra, Huawei kompaniyasining yangi Kirin 9050 Pro protsessori LogicFolding texnologiyasi asosida ikki qavatli qilib yasaldi.

Huawei kompaniyasining eng so'nggi flagman qurilmalari uchun mo'ljallangan Kirin 9050 Pro mobil protsessori texnologik jihatdan katta o'zgarishni boshdan kechirdi. Kurnal Insights nashri tomonidan e'lon qilingan batafsil tahliliy ma'lumotlar ushbu chipning o'ziga xos ikki qavatli tuzilishga ega ekanligini ko'rsatdi. Ushbu yangi yondashuv yarimo'tkazgichlar sanoatida tranzistorlarni kichiklashtirmasdan turib komponentlar zichligini oshirish imkonini beruvchi LogicFolding texnologiyasiga asoslangan.

Protsessorning ichki tuzilishi va qatlamlari

Taqdim etilgan ma'lumotlarga ko'ra, Kirin 9050 Pro amalda bir-birining ustiga joylashtirilgan ikkita mustaqil kristaldan tashkil topgan. Ulardan biri asosiy hisoblash mantiqiy vazifalarini bajarishga mas'ul bo'lsa, ikkinchi qatlam SRAM va tezkor kesh xotira uchun ajratilgan. Ushbu ikkala qatlam juda kichik qadamli ko'plab vertikal o'tkazgichlar orqali bir-biriga mahkam bog'langan. Natijada yuzaga kelgan zich kompozitsiya hisoblash bloklari va xotira orasidagi masofani sezilarli darajada qisqartiradi, bu esa ma'lumotlar almashinuvi paytidagi keraksiz kechikishlarning oldini oladi.

Ishlab chiqarish jarayoni va texnik tafsilotlar

• Asosiy texnologiya: LogicFolding (vertikal faol kremniy qatlamlarini birlashtirish)
• Kristall o'lchamlari: Har bir qatlam taxminan 11,13 × 10,84 mm yoki 120,65 mm²
• Texnologik jarayonlar: Hisoblash kristalli uchun SMIC N+3, xotira uchun N+2
• Smartfonlar: Faqat Huawei brendining Pro Max va RS flagman versiyalari

Qizig'i shundaki, ikkala kristalning o'lchamlari amalda bir xil ko'rsatkichlarga ega. Shu bilan birga, ishlab chiqarish jarayonida ikki xil texnologiyadan foydalanilgani taxmin qilinmoqda, ya'ni hisoblash qismi SMIC N+3 bazasida, xotira esa N+2 texnologiyasida yasalgan. Bunday yondashuv kichikroq kristallar yaratish orqali ishlab chiqarishdagi nuqsonlar xavfini kamaytirsa-da, keyingi bosqichdagi vertikal yig'ish jarayonini murakkablashtiradi va bu o'z navbatida yaroqli chiplar foiziga salbiy ta'sir ko'rsatishi mumkin. Hozirgi kunda ushbu ilg'or SoC faqatgina eng yuqori darajadagi flagman qurilmalarga o'rnatilmoqda.