Micron 400 qatlamli G11 flash xotirasini taqdim etdi

Micron kompaniyasi 400 tadan ortiq qatlamli G11 nomli yangi avlod NAND xotirasini e'lon qildi va uning asosiy ko'rsatkichlarini ochib berdi.

Micron Technology uch o'lchamli NAND flash xotirasining navbatdagi avlodini rasman tanishtirdi. Kompaniya G10 indeksini ataylab chetlab o'tib, to'g'ridan-to'g'ri G11 deb nomlangan yangi texnologiyani e'lon qildi. Ushbu loyiha doirasida muhandislar uch o'lchamli xotiraning qatlamlari sonini 400 tadan oshirishga muvaffaq bo'lishdi. Bu esa zamonaviy ma'lumotlar saqlash qurilmalari bozori uchun muhim qadam hisoblanadi.

Qatlamlar va yuqori zichlik ko'rsatkichlari

Taqdim etilgan ma'lumotlarga ko'ra, yangi avlod qatlamlari miqdori bo'yicha joriy G9 avlodidan kamida 45 foizga o'zib ketgan. Misol uchun, G9 avlodi 276 qatlamdan iborat bo'lib, hozirda u Crucial P510 kabi mashhur SSD drayvlarida faol ishlatilmoqda. Biroq Micron faqat qatlamlar sonini ko'paytirish bilan cheklanib qolgani yo'q. Takomillashtirilgan texnologik jarayon va kataklarning o'ta kichik qadami tufayli bit zichligi taxminan ikki baravar oshishi kutilmoqda. Agar avvalgi TLC xotira uchun bu ko'rsatkich kvadrat millimetriga 21 Gbitni tashkil etgan bo'lsa, endilikda taxminan 42 Gbit/mm² darajasiga yetishi taxmin qilinmoqda.

Ishlab chiqarish texnologiyasi va tezlik

Shuningdek, kompaniya xotira kataklari massivi va boshqaruvchi qismni alohida yasab, keyinchalik ularni bir-biriga qo'shib yuboradigan "wafer-on-wafer" yondashuviga o'tmoqda. Bunday yechim ilgari YMTC, Kioxia, SanDisk hamda Samsung kabi yirik ishlab chiqaruvchilar tomonidan ham amalda qo'llanilgan edi. Muhandislarning ta'kidlashicha, interfeys imkoniyatlari ham sezilarli darajada yaxshilandi. Kontroller va NAND o'rtasidagi ma'lumot almashinuvi tezligi avvalgi avlodga nisbatan 50 foizga oshib, 3,6 Gbit/s dan 5,4 Gbit/s gacha yetadi.

• Ma'lumot uzatish tezligi 5,4 Gbit/s gacha ko'tarildi
• Har bir bitni uzatish jarayonida sarflanadigan quvvat 25% dan ko'proqqa kamaydi
• Ommaviy ishlab chiqarish ishlari 2027 yilning ikkinchi yarmiga rejalashtirilgan

Texnik ko'rsatkichlarning yaxshilanishi bilan bir qatorda energiya samaradorligi ham oshdi. Ma'lumotlarni uzatish vaqtida har bir alohida bit uchun sarflanadigan elektr quvvati 25 foizdan ko'proqqa qisqardi. Hozirgi rejalarga ko'ra, ushbu yangi avlod xotirasini ommaviy ravishda ishlab chiqarish jarayoni 2027 yilning ikkinchi yarmida boshlanishi mo'ljallanmoqda.