SK hynix 3D FeNAND xotira arxitekturasini taqdim etdi

SK hynix kompaniyasi sun'iy intellekt tizimlari uchun xotira ichida analog hisob-kitoblarni bajaruvchi 3D FeNAND arxitekturasining tafsilotlarini oshkor qildi.

Janubiy Koreyaning SK hynix kompaniyasi sun'iy intellekt tizimlari va neyrotarmoqlar uchun mo'ljallangan innovatsion 3D FeNAND arxitekturasining texnik tafsilotlarini rasman oshkor qildi. Mazkur yangi yondashuv ma'lumotlarni qayta ishlash jarayonini tashqi protsessorlarga murojaat qilmasdan, bevosita NAND flesh-xotira katakchalari ichida amalga oshirish imkonini beradi. Eksperimental tuzilmalarni o'rganish davomida xotiraning o'tkazish qobiliyati 10-20 barobar, energiya samaradorligi esa 4000-5000 barobar yuqori ekani qayd etildi.

A-CiM texnologiyasining ishlash mexanizmi

Odatdagi kompyuter arxitekturalarida ma'lumotlar saqlash qurilmasidan hisoblash blokiga o'tkazilib, ishlov berilgach, yana ortga yoziladi. Katta hajmli sun'iy intellekt modellarini ishlatishda bunday ma'lumot almashinuvi juda ko'p marotaba takrorlanadi. Analog Compute-in-Memory deb nomlanuvchi yangi A-CiM yechimi esa xotira katakchalarining o'zini neyrotarmoqlar uchun asos bo'lgan ko'paytirish hamda qo'shish amallariga faol jalb qiladi. Bu esa xotira va hisoblash qismlari orasidagi axborot oqimini keskin kamaytiradi.

Yangi 3D FeNAND tuzilmalarida gafniy-tsirkoniy oksidi asosidagi maxsus segnetoelektrik katakchalar ishlatiladi. Odatiy NAND xotiradan farqli o'laroq, bu yerda axborot elektr zaryadini ushlab qolish yo'li bilan emas, balki materialning o'ziga xos polarizatsiyasi orqali belgilanadi. Natijada model og'irliklari turli elektr toki darajalari yordamida ifodalanadi. Muhandislar kuchlanish impuls ketma-ketligi yordamida katakcha holatini bosqichma-bosqich o'zgartirib, tajriba tuzilmalarida to'rt xil tok darajasini aniq farqlashga muvaffaq bo'lishdi.

Samaradorlikni oshiruvchi qo'shimcha yechimlar

• O'tkazgichlar qarshiligini sezilarli darajada kamaytirish va alohida tuzilmalar orasiga havo bo'shliqlarini joylashtirish orqali parazit sig'imni qariyb 60 foizga qisqartirish;
• In-Page Pipelining usulidan foydalangan holda neyrotarmoq hisob-kitoblarini bitta xotira sahifasi doirasida taqsimlash va unumdorlikni 9 barobarga oshirish.

Shunga qaramay, mazkur texnologiyani tijoriy mahsulotlarga joriy etishdan oldin hali ko'plab vazifalarni hal qilish lozim. Mutaxassislar uzoq muddatli saqlash davomida analog holatlarning barqarorligini, hisoblash aniqligini, ishlab chiqarishdagi yaroqli mahsulotlar chiqishini va boshqaruv sxemalarini birlashtirish murakkabligini tekshirishlari kerak. Hozircha SK hynix 3D FeNAND xotirasini ommaviy ishlab chiqarish boshlanish muddatlarini e'lon qilgani yo'q.